[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210529908.2 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050537A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;慈朋亮;钱文生;韩峰;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。本发明能有效地降低器件的栅漏电容Cgd，从而提高器件的射频性能。本发明还公开了该晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。
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