[发明专利]一种取向层形成方法在审
| 申请号： | 201210530238.6 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103869540A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 董霆;张洪林;张洪术 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;张振伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种取向层形成方法，应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。本发明的取向层形成技术应用了脉冲轰击，提高了取向层上凹槽的形成速度，并且取向层上不会产生碎屑、杂质等残留物，因此能够有效避免取向层不清洁以及受损等情况的发生，进而显著提高了取向层的产品质量，也使得最终制造出的液晶显示器的质量得到明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种取向层形成方法，其特征在于，该方法包括：应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。
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