[发明专利]一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法，属于氧化锌薄膜制备技术领域。所述方法包括原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；原子层沉积设备通入含磷源气体和含氧源气体，在氧化锌薄膜表面生长磷氧键。本发明可以简单地实现磷原子掺杂在氧化锌薄膜中，制备出的薄膜掺杂层可控，薄膜的均匀性较高，性能完整。

主权项

一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：原子层沉积设备通入含锌源气体和第一含氧源气体，在所述原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；所述硅衬底的表面预先采用RCA标准清洗法进行清洗，在所述硅衬底表面形成硅醇键；所述原子层沉积设备通入含磷源气体和第二含氧源气体，在所述氧化锌薄膜表面生长磷氧键；所述含锌源气体的进气时间为0.1s‑1s，反应时间为10s～60s；所述第一含氧源气体和第二含氧源气体的进气时间均为0.1s‑1s，反应时间均为10s～60s；所述含磷源气体的进气时间为0.1s‑1s，反应时间为10s～60s；所述原子层沉积设备采用的载气为氮气；所述氮气的流量为1sccm‑1000sccm；所述原子层沉积设备反应腔中用于承载硅衬底的基盘的温度为50℃‑400℃。