[发明专利]氯硅烷残液处理工艺有效

专利信息
申请号: 201210531271.0 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN102942183A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 王姗 申请(专利权)人: 成都蜀菱科技发展有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 郭肖凌
地址: 610016 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明氯硅烷残液处理工艺,将一定浓度的氯硅烷残液送入处理系统,在表面蒸发器内均匀分配、并保持一定的温度、压力,使氯硅烷残液蒸发,回收蒸发出的氯硅烷气体;蒸发后的残液进入螺旋蒸发器,进行二次蒸发。通过两级蒸发、分离,将蒸发得到的氯硅烷气体,通过保温和换热冷凝后,得到氯硅烷产品,回收率达到95%以上。
搜索关键词: 硅烷 处理 工艺
【主权项】:
一种氯硅烷残液处理工艺,其特征在于处理步骤如下:用泵将氯硅烷残液以200‑300kg/h的流量均匀泵入表面蒸发器顶部;表面蒸发器温度控制在60‑90℃,压力控制在0.02‑0.08Mpa(G),物料停留时间 2‑8分钟,由表面蒸发器热媒夹套内130‑150℃热媒提供热量;表面蒸发器回收氯硅烷气体;蒸发后的残液进入螺旋蒸发器进行二次蒸发,物料停留时间2‑8分钟,得到190‑295kg/h氯硅烷气体;将上述氯硅烷气体送入热媒夹套过滤器保温,温度为80‑100℃,物料停留时间5‑10分钟,过滤器持续保温;将保温后的氯硅烷气体送入一级换热器冷凝,用32℃±2℃冷却水冷却;将通过一级换热器后,不凝的氯硅烷气体送入二级换热器,用‑30℃±5℃冷媒冷凝后即得氯硅烷产品。
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