[发明专利]带恒流控制的高压电平位移驱动电路无效
| 申请号： | 201210532037.X | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103023483A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李锐;顾鹏程;曾蕴浩;陆晓敏 | 申请（专利权）人： | 上海岭芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶;陈亮 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种带恒流控制的高压电平位移驱动电路，包括：高压LDMOS管，其栅极与半桥驱动电路的电源电压连接；恒流控制驱动电路，与电源地、一偏置电压、上侧输入信号和高压LDMOS管的源极连接，用于当半桥驱动电路的上侧功率MOS管的高压电源处于规格允许的电压范围之内时，高压LDMOS管导通后的导通电流是受控恒定的；负载电阻，一端与高压LDMOS管的漏极连接，另一端与半桥驱动电路的上侧驱动电路的浮动电源电压连接；驱动器，与高压LDMOS管的漏极、上侧驱动电路的浮动电源电压、一浮动地和半桥驱动电路的上侧输出端连接；箝位二极管，跨接在负载电阻的两端。本发明既简化电路结构，缩小芯片面积，又解决单脉冲高压电平位移驱动电路的功耗问题，提高电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 带恒流 控制 高压 电平 位移 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种带恒流控制的高压电平位移驱动电路(500)，包括：高压LDMOS管(T)，其栅极与一高压半桥驱动电路的电源电压(VCC)相连接；恒流控制驱动电路(501)，分别与电源地(GND)、一偏置电压、一上侧输入信号(IN)和所述高压LDMOS管(T)的源极相连接，用于当所述高压半桥驱动电路的上侧功率MOS管的高压电源(VH)处于规格允许的电压范围之内时，所述高压LDMOS管(T)导通后的导通电流是受控恒定的；负载电阻(RL)，其一端与所述高压LDMOS管(T)的漏极相连接，另一端与所述高压半桥驱动电路中的上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)相连接；驱动器(502)，分别与所述高压LDMOS管(T)的漏极、所述上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)、一浮动地(VS)和所述高压半桥驱动电路的上侧输出端(HO)相连接；以及箝位二极管(Z)，跨接在所述负载电阻(RL)的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海岭芯微电子有限公司，未经上海岭芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210532037.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
