[发明专利]一种浅结太阳能电池的制备工艺无效
| 申请号： | 201210532153.1 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102969402A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 初仁龙 | 申请（专利权）人： | 泰州德通电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅结太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：a、将硅片清洗，去损伤层，制绒；b、在硅片表面喷涂磷酸；c、将硅片放入链式扩散炉中，进行扩散；d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层；e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层；f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极；g、烧结并测试分选。这种浅结太阳能电池的制备工艺保证在浅结的基础上，方阻均匀分布，具有很低的发射极饱和电流密度，显著提高太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的开路电压和短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种浅结太阳能电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：a、将硅片清洗，去损伤层，制绒；b、在硅片表面喷涂磷酸；c、将硅片放入链式扩散炉中，进行扩散；d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层；e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层；f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极；g、烧结并测试分选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
