[发明专利]一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构

摘要

本发明提供一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构，至少包括：MOS晶体管矩形阵列；多晶硅连线结构，包括多个位于相邻两栅极引脚之间且沿栅极引脚排列方向延伸的多晶硅分线、以及位于所述MOS晶体管矩形阵列第二侧的连接各该多晶硅分线的多晶硅总线；绝缘结构；以及包括栅极连线、源漏极连线、及体极连线的金属连线结构。本发明采用多晶硅连接各该栅极引脚，只需采用一层金属层就能将MOS晶体管阵列的四个电极分别连接至测试点，大大地节省了工艺制作成本及时间成本，而且只需要进行一次金属沉积，降低了对后续其它制程的影响。本发明步骤简单，效果显著，适用于工业测试。

主权项

一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构，其特征在于，至少包括：MOS晶体管矩形阵列，包括多个周期排列的MOS晶体管，各该MOS晶体管具有位于相对的第一侧及第三侧的栅极引脚、分别位于相对的第二侧及第四侧的源极引脚及漏极引脚、及位于源极引脚或漏极引脚外侧的体极引脚；多晶硅连线结构，包括多个位于相邻两栅极引脚之间且沿栅极引脚排列方向延伸的多晶硅分线、以及位于所述MOS晶体管矩形阵列第二侧的连接各该多晶硅分线的多晶硅总线；绝缘结构，结合于所述多晶硅连线结构表面且其内部具有多个连接孔；金属连线结构，包括栅极连线、源漏极连线、及体极连线；所述栅极连线包括通过所述连接孔将位于各该多晶硅分线两侧的栅极引脚连接至所述多晶硅分线两侧的多个第一栅极线、及通过所述连接孔将所述多晶硅总线连接至栅极测试点的第二栅极线；所述源漏极连线包括多个连接各该源极引脚及各该漏极引脚的源漏极分线，及位于所述MOS晶体管矩形阵列第一侧并将各该源漏极分线连接至源漏极测试点的源漏极总线；所述体极连线包括多个连接各该体极引脚的体极分线，及位于与所述MOS晶体管矩形阵列第一侧相对的第三侧并将各该体极分线连接至体极测试点的体极总线。