[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201210533170.7 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102945900A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，该方法先利用多孔阳极氧化铝在掩膜层上形成排布均匀的金属纳米颗粒，使用激光对金属纳米颗粒进行升温，使金属纳米颗粒的温度达到掩膜层的熔点，从而熔化与金属纳米颗粒接触的掩膜层，达到图形化掩膜层的目的，进而利用掩膜层图形化衬底。具有工艺简单，工艺成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上贴装多孔阳极氧化铝薄膜；在所述多孔阳极氧化铝薄膜的孔洞中形成金属纳米颗粒，所述掩膜层的比热容大于所述金属纳米颗粒的比热容，所述金属纳米颗粒的熔点大于所述掩膜层的熔点；去除所述多孔阳极氧化铝薄膜；利用激光照射所述金属纳米颗粒，使所述金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点，以形成图形化的掩膜层；去除所述金属纳米颗粒；以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底；去除所述图形化的掩膜层，形成纳米级图形化衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210533170.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
