[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210533174.5 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102983236A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片在有源层与其相邻层的界面上形成有第一金属纳米颗粒阵列。第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒受到有源层的发出的光的激发，为有源层提供了额外的量子阱局域态，因此减少了电子通过缺陷能级与空穴发生无辐射复合的概率，提高了内量子效应，从而提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括衬底以及依次于所述衬底上的N型GaN层、有源层和P型GaN层，其特征在于：在所述有源层与其相邻层的界面上形成有第一金属纳米颗粒阵列。
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