[发明专利]一种离子注入系统有效
| 申请号： | 201210533308.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103021782A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李超波;邹志超;窦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述待注入样片具有第一面和第二面，其中第一面的面积大于所述第二面的面积；且，所述气体流向具有第一方向；所述基片台的所述第一部分使得所述待注入样片的第一面面对所述注入气体流向的第一方向，且所述待注入样片的第一面为第二方向，所述第二方向与所述注入气体流向的所述第一方向不同。本发明通过采用基片台上的电极卡盘垂直放置的方式，在重力作用下，避免将未电离的金属颗粒掉落在电极卡盘上的硅基片上，从而保证了高质量的离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 系统 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统，包括：一离子注入腔室，用于给所述离子注入系统提供真空注入环境；一进气口，所述进气口设于所述离子注入腔室的第一边上，所述进气口用于给所述离子注入系统提供注入气体；一出气口，所述出气口设于所述离子注入腔室的第二边上，所述出气口用于将所述注入气体抽离所述离子注入腔室，且，所述第一边与所述第二边为对边；一基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；一射频电源，所述射频电源与所述基片台的第二部分连接，用于给所述注入气体放电产生等离子体提供电源；一脉冲电源，所述脉冲电源与所述离子注入腔室连接，用于给所述离子注入提供脉冲电源；其中，所述待注入样片具有第一面和第二面，其中第一面的面积大于所述第二面的面积；且，所述气体流向具有第一方向；所述基片台的所述第一部分使得所述待注入样片的第一面面对所述注入气体流向的第一方向，且所述待注入样片的第一面为第二方向，所述第二方向与所述注入气体流向的所述第一方向不同。
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