[发明专利]非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备和用途

摘要

本发明提供非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备方法和用途，涉及非线性光学材料领域。非线性光学晶体亚碲钼酸镉，其特征在于分子式为CdTeMoO6，属四方晶系，空间群，晶胞参数为a=b=5.2860(7)Å，c=9.0660(18)Å,V=253.32(7)Å3,Z=2；该晶体化学性质稳定不潮解，为同成分熔融，可采用熔体法生长；该晶体可用于制作非线性光学器件，其倍频转换效率约为2×KTP（KTiOPO4），其透过范围为345nm―5.4μm。

主权项

一种非线性光学晶体亚碲钼酸镉的制备方法，特征在于：所述的非线性光学晶体亚碲钼酸镉的化学式为CdTeMoO6，它的晶体结构属四方晶系，空间群，所述的制备方法包括如下步骤：一)称取摩尔比CdO：TeO2：MoO3＝1：1：1的CdO、TeO2和MoO3，混合均匀后，缓慢升至600℃，恒温72小时，中途取出研磨数次，得CdTeMoO6多晶粉末；二)然后将所合成的CdTeMoO6多晶粉末装入的开口铂金坩埚中，之后在竖直式单晶生长炉中快速升温至800℃，恒温24小时，快速降温至700℃，然后以20℃/天的速率降温至室温，得到片状CdTeMoO6晶体；三)切取所得片状CdTeMoO6晶体质量较好部分作为籽晶，重新将原料升温融化，然后快速冷却到饱和温度以上10–15℃，缓慢地把装有籽晶的籽晶杆伸入坩埚的熔体中，并启动籽晶杆上端的转动装置，并以转动速率为1–50转/分转动籽晶，恒温半小时后，快速降温到饱和温度，然后以0.2–5℃/天的速率降温，待单晶生长到所需尺寸后，提升籽晶，使晶体脱离液面，仍将晶体留在炉子中退火，以不大于50℃/小时的速率降温至室温，得到大尺寸CdTeMoO6晶体。