[发明专利]一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺无效
申请号: | 201210534180.2 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN102969405A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 鲁伟明;初仁龙;费存勇;王志刚 | 申请(专利权)人: | 泰通(泰州)工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/06 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 225312 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺,包括以下步骤:a.将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中;b.升温至800-860oC,通入携带有POCl3的N2和O2,保持一定的时间;c.控制温度在800-860oC,停止通入携带有POCl3的N2,保持一定的时间;d.降低温度至室温,取出硅片,扩散完毕。这种高效浅结太阳能电池的扩散工艺,通过调整携带有磷源的氮气和氧气之间的流量,温度和时间,提高了方块电阻,大大降低了发射极中非活性P原子的浓度,从而大大降低了发射极饱和电流密度,显著提高太阳能电池的短波响应,提高太阳能电池的开路电压和短路电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺,其特征是,包括以下步骤:a.将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中;b.升温至800‑860 oC,通入携带有POCl3的N2和O2,保持一定的时间;c.控制温度在800‑860 oC,停止通入携带有POCl3的N2,保持一定的时间;d.降低温度至室温,取出硅片,扩散完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的