[发明专利]一种复合半导体层有效
| 申请号： | 201210535419.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103000613A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭鹏;刘东屏;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合半导体层，其包括：SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入\输出信号线上，该第二辅助输入\输出信号线通过第三过孔连接到第一辅助输入\输出信号线上，所述漏极通过第二过孔连接到第一金属电极上；所述第一金属电极通过第四过孔连接到第二金属电极上，且该第二金属电极的一端通过第一通孔连接到第二输入\输出信号线上，在该第二金属电极另一端上依次沉积铁电层、反铁磁层、下部铁磁层、隧道绝缘势垒层、上部铁磁层、顶部覆盖层；所述反铁磁层通过第二通孔连接到第三输入\输出信号线上；所述顶部覆盖层通过第五过孔连接到第一输入\输出信号线上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 半导体 | ||
【主权项】：
一种复合半导体层，其特征在于，包括：SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入\输出信号线上，该第二辅助输入\输出信号线通过第三过孔连接到第一辅助输入\输出信号线上，所述漏极通过第二过孔连接到第一金属电极上；其中，所述第一金属电极通过第四过孔连接到第二金属电极上，且该第二金属电极的一端通过第一通孔连接到第二输入\输出信号线上，在该第二金属电极另一端上依次沉积铁电层、反铁磁层、下部铁磁层、隧道绝缘势垒层、上部铁磁层、顶部覆盖层；所述反铁磁层通过第二通孔连接到第三输入\输出信号线上；所述顶部覆盖层通过第五过孔连接到第一输入\输出信号线上。
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