[发明专利]包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品BC结电容大的缺陷而设计。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管包括集电区、本征基区、埋氧层、发射极、侧墙、硅层，以及外基区。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管在外基区下加入埋氧层，降低了BC结电容，提高了器件性能。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法实现了本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

主权项

一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括第一掺杂类型的集电区，位于所述集电区上的本征基区和埋氧层，位于所述基区上的发射极，位于所述发射极两侧的侧墙，位于所述埋氧层上的第二掺杂类型的硅层，以及位于所述硅层上的外基区。