[发明专利]带隙基准源电路无效
申请号: | 201210535847.0 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103869873A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 朱红卫;刘国军;唐敏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种带隙基准源电路,第一电阻连接于第一镜像电流支路的输出节点和地之间;第二电阻和第一NPN晶体管连接于第一镜像电流支路的输出节点和地之间,第一NPN晶体管的集电极和基极相连、发射极接地;第二NPN晶体管的集电极和基极都和第二镜像电流支路的输出节点相连、发射极接地;第三电阻连接于第三镜像电流支路的输出节点和地之间;第一和第二镜像电流支路的输出节点分别连接运算放大器的同反相输入端,运算放大器的输出端控制三个镜像电流支路的大小;第三镜像电流支路的输出节点作为参考电压的输出端。本发明能降低工作电压以及降低输出的参考电压,满足集成电路中工作电压越来越小的需求。 | ||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准源电路,其特征在于,包括:三个镜像电流支路、三个电阻、两个NPN晶体管和一个运算放大器;所述三个镜像电流支路的电流大小成比例关系,第一NPN晶体管的发射极面积为第二NPN晶体管的发射极面积的N倍,N大于1;第一电阻连接于第一镜像电流支路的输出节点和地之间;第二电阻的第一端和所述第一镜像电流支路的输出节点相连,所述第二电阻的第二端和所述第一NPN晶体管的集电极和基极相连,所述第一NPN晶体管的发射极接地;所述第二NPN晶体管的集电极和基极都和所述第二镜像电流支路的输出节点相连,所述第二NPN晶体管的发射极接地;第三电阻连接于第三镜像电流支路的输出节点和地之间;所述第一镜像电流支路的输出节点连接所述运算放大器的同相输入端,所述第二镜像电流支路的输出节点连接所述运算放大器的反相输入端,所述运算放大器的输出端控制所述三个镜像电流支路的大小;所述第三镜像电流支路的输出节点作为参考电压的输出端。
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