[发明专利]制造凸起的方法和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210536283.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165473B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 玉政泰;金权中;金学焕;白好善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王占杰,郭鸿禧 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 凸起 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造凸起的方法，所述方法包括：在包括在半导体芯片上的电极焊盘上形成凸起，电极焊盘包括形成在半导体芯片上的第一电极层以及形成在第一电极层上的第二电极层；以及通过调节氧浓度的量或范围，来控制第二电极层被吸收在凸起中的吸收度，从而对形成在半导体芯片上的凸起进行回流来控制凸起的形状，其中，通过在对应于第一范围的氧浓度的氧气氛下对凸起进行回流将凸起的形状控制为平面形状或者通过在与比第一范围的氧浓度小的第二范围的氧浓度对应的氧气氛下对凸起进行回流将凸起的形状控制为球形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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