[发明专利]三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法

摘要

本发明公开了三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用分层整体化学镀和电镀方法形成镍-铬-金薄膜，再采用光刻、选择性腐蚀方法，按产品设计的图形形成所需的导带薄膜或阻带薄膜；采用激光调阻后，得到所需的薄膜基片；两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；采用共晶焊接或浆料粘接方式将基片装贴在管基底座上，最后采用薄膜混合集成的方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

主权项

三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法，其特征在于该方法是采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用分层整体化学镀和电镀的方法，在凸型陶瓷基片表面形成镍‑铬‑金薄膜，再采用光刻、选择性腐蚀的方法，按产品设计的图形形成所需的导带薄膜或阻带薄膜，采用激光调阻后，得到所需的薄膜基片；两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；采用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上，最后采用薄膜混合集成的方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。