[发明专利]发光二极管的制作方法无效
| 申请号： | 201210537450.5 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681982A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈彦玮;余国辉;王建钧 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46;H01L21/683;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的制作方法，其包括提供一外延基板，外延基板具有一第一表面与一第二表面，第一表面与第二表面分别位于外延基板的相反侧；形成一外延结构于外延基板的第一表面上，外延结构具有一第一半导体层及一第二半导体层；形成一沟槽于外延结构上，沟槽暴露出第一半导体层；提供一固定基板设置于外延结构及第一半导体层上；提供一能量由外延基板的第二表面进入外延基板，并聚焦于第一表面及第二表面之间；形成一反射层于外延基板的第二表面上；以及移除固定基板，并进行管芯劈裂，以形成多个发光二极管管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制作方法，包括：提供一外延基板，该外延基板具有第一表面与第二表面，其中该第一表面与该第二表面分别位于该外延基板的相反侧；形成一外延结构于该外延基板的该第一表面上，其中该外延结构具有第一半导体层及第二半导体层；形成一沟槽于该外延结构上，其中该沟槽暴露出该第一半导体层；提供一固定基板设置于该外延结构及该第一半导体层上；提供一能量由该外延基板的该第二表面进入该外延基板，并聚焦于该第一表面及该第二表面之间；形成一反射层于该外延基板的该第二表面上；以及移除该固定基板，并进行管芯劈裂，以形成多个发光二极管管芯。
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