[发明专利]等离子体增强化学气相沉积设备

摘要

本发明实施例公开了一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，属于气相沉积技术领域，能够在工艺气体流量和压力改变比较大时，在不改变匀流机构的情况下仍可实现调节气体均匀性。该包括上电极板、下电极板、射频盖和扩散板；所述上电极板通过所述射频盖与射频电源连通，所述下电极板接地；所述射频盖上设有进气管，所述射频盖与所述上电极板连接形成匀流腔；所述上电极板开设有若干通孔，所述上电极板下方为反应腔，所述下电极板位于所述反应腔中；该PECVD设备还包括驱动器；所述扩散板位于所述进气管下方，且与所述驱动器相连，所述驱动器带动所述扩散板相对所述射频盖上下移动。本发明可应用于光伏、薄膜晶体管等领域。

主权项

一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括上电极板、下电极板、射频盖和扩散板；所述上电极板通过所述射频盖与射频电源连通，所述下电极板接地；所述射频盖上设有进气管，所述射频盖与所述上电极板连接形成匀流腔；所述上电极板开设有若干通孔，所述上电极板下方为反应腔，所述下电极板位于所述反应腔中；其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积设备，还包括驱动器；所述扩散板位于所述进气管下方，且与所述驱动器相连，所述驱动器带动所述扩散板相对所述射频盖上下移动。