[发明专利]用双重间隔物图案化技术形成半导体器件精细图案的方法

摘要

本发明公开一种使用双重间隔物图案化技术（SPT）工序形成半导体器件的精细图案的方法，通过应用包括负型SPT工序的双重SPT工序，能够实现具有均一精细线宽的线距图案。该方法包括第一SPT工序和第二SPT工序，并且第二SPT工序包括负型SPT工序。

主权项

一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在第一层上方形成第二层；在所述第二层上方形成分隔图案；在所述分隔图案的侧壁上形成第一间隔物；形成填充在所述第一间隔物之间的第一间隙填充层；将所述分隔图案与所述第一间隙填充层之间的所述第一间隔物移除；用所述分隔图案和所述第一间隙填充层作为蚀刻掩模蚀刻所述第二层，以形成第一图案；在所述第一图案的侧壁上形成第二间隔物；形成填充在所述第二间隔物之间的第二间隙填充层；将所述第一图案与所述第二间隙填充层之间的所述第二间隔物移除；以及用所述第一图案和所述第二间隙填充层作为蚀刻掩模蚀刻所述第一层，以形成第二图案。