[发明专利]一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隧穿型逆导IGBT及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该隧穿型逆导IGBT包括P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层、P⁺集电极，其特征在于，在P⁺集电极和N⁺缓冲层内引入N⁺⁺区，在P⁺集电极内于N⁺⁺区底部引入P⁺⁺区，P⁺⁺区与N⁺⁺区底部接触，使得P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层和N⁺⁺区构成逆导通道，N⁺⁺区和P⁺⁺区形成隧道结，隧道结的掺杂浓度为10¹⁹/cm³～10²⁰/cm³。该隧穿型逆导IGBT芯片面积小、成本低，可靠性高；开关功率损耗少；无回跳。

主权项

一种隧穿型逆导IGBT，包括P⁺区、P^‑基区、N^‑漂移区、N⁺缓冲层、P⁺集电极，其特征在于，在所述P⁺集电极和N⁺缓冲层内引入N⁺⁺区，在所述P⁺集电极内于所述N⁺⁺区底部引入P⁺⁺区，所述P⁺⁺区与所述N⁺⁺区底部接触，使得所述P⁺区、P^‑基区、N^‑漂移区、N⁺缓冲层和N⁺⁺区构成逆导通道，所述N⁺⁺区和P⁺⁺区形成隧道结，所述隧道结的掺杂浓度为10¹⁹/cm³～10²⁰/cm³。