[发明专利]利用并联高压MOS管控制的LED驱动电路有效

专利信息
申请号: 201210540481.6 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103025018A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 来新泉;韩杰;邵丽丽;何惠森 申请(专利权)人: 西安吉成光电有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710068 陕西省西安市南二*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种利用并联高压MOS管控制的LED驱动电路,主要解决现有驱动电路无法兼顾成本低,效率高,功率因数高的问题。它包括整流桥,控制电路,N串负载,N个高压MOS管和N个电压基准电路;整流桥用于对交流信号进行全波整流,N串负载单组串联连接,并跨接于整流桥与第N个高压MOS管的漏极;相邻两串负载的公共端分别连接到对应高压MOS管的漏极;N个高压MOS管的栅极分别连接N个电压基准,其源极相连,并连接到控制电路;控制电路通过检测负载电流调节高压MOS管的源极电压,以控制高压MOS管的工作状态,实现对接入电路负载的调节。本发明具有外围器件少、寿命长、效率和功率因数高的优点,可直接集成于载有LED串的灯板之上。
搜索关键词: 利用 并联 高压 mos 控制 led 驱动 电路
【主权项】:
一种利用并联高压MOS管控制的LED驱动电路,包括:整流桥,用于对交流信号进行全波整流,并将整流后的电压信号Vin输入到N串负载Z1~ZN,N≥1;N串负载Z1~ZN,单组串联连接,用于构成可变负载网络;其特征在于:还包括:N个高压MOS管M1~MN,用于控制接入电路的负载大小;每个高压MOS管的源极相连,并连接到控制电路;每个高压MOS管栅极分别与N个电压基准相连;第一个高压MOS管M1的漏极连接到第一串负载Z1与第二串负载Z2的公共端;第二个高压MOS管M2的漏极连接到第二串负载Z2与第三串负载Z3的公共端;依此类推,第N‑1个高压MOS管MN‑1的漏极连接到第N‑1串负载ZN‑1与第N串负载ZN的公共端;第N个高压MOS管MN的漏极连接到第N串负载ZN;N个电压基准电路,用于产生N个偏置电压V1~VN,并设定偏置电压V1
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