[发明专利]一种SiC晶须的制备方法无效
| 申请号： | 201210540660.X | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102978706A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 崔曦文;柏杉;洪艳萍;闵庆峰;蒋明学 | 申请（专利权）人： | 中冶焦耐工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人： | 张群 |
| 地址： | 116085 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC晶须领域，特别是涉及一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。放入真空碳管炉内，充入氩气，在1300℃～1500℃之间保温1～3小时。与现有技术相比，本发明的有益效果是：原料来源广、成本低，不存在环境污染，制备出的晶须长径比达60~200、晶须表面光滑，制备工艺简单，通过控制生产过程中的温度和气氛即可控制晶须的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。
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