[发明专利]一种中红外发光晶体材料、及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201210541788.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103014864A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐军;蒋先涛;苏良碧;唐慧丽;范晓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种中红外发光晶体材料，其为Bi4Ge3O12晶体材料，由纯度高于99.9%摩尔配比为2:3的Bi2O3和GeO2，通过以下步骤制得，步骤1，制备Bi2O3和GeO2混合粉料；步骤2，制备Bi4Ge3O12晶体。该中红外发光晶体材料由于晶体Bi离子的含量高，有利于产生高强度和超宽带的中红外发光波段，物化性能稳定，材料加工方便，也可根据需要拉制成光纤，能够与其它光学系统具有很好的兼容性，激发条件简单，适用于激光二极管泵浦，能够很好的利用现在已经发展成熟的二级管激光作为泵浦源，从而得到紧凑型、高效率、低成本商用激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光 晶体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种中红外发光晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为Bi4Ge3O12晶体材料，所述Bi4Ge3O12晶体材料由Bi2O3和GeO2 制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210541788.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
