[发明专利]水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法无效
| 申请号： | 201210543487.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103014830A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周海涛;何小玲;霍汉德;张昌龙;王金亮;覃世杰;左艳彬;卢福华 | 申请（专利权）人： | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/34 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，具体是以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制生长条件进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。本发明所述方法通过在黄金衬套管中添加特定比例的SiO2粉末来补充Si-O生长基元，达到既能克服熔体法生长晶体时所遇到的晶体易开裂、均匀性及析晶行为难以控制的问题，又可克服水热法生长闪烁晶体硅酸铋时伴有Bi12SiO20杂相的问题，从而获得纯相的大尺寸的Bi4Si3O12体单晶，且所得体单晶表面无开棉无裂，完整性好。 | ||
| 搜索关键词： | 水热法 生长 闪烁 晶体 硅酸 方法 | ||
【主权项】：
水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制生长条件进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国有色桂林矿产地质研究院有限公司，未经中国有色桂林矿产地质研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210543487.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
