[发明专利]二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法

摘要

本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，通过金属银催化氨水氧化及蚀刻，制备出与硅衬底连接力小的二氧化硅纳米线阵列结构，取出样品后在其上涂覆一层硅胶，凝固后揭下即可实现二氧化硅纳米线阵列从硅衬底上剥离，通过银胶即可把这层带有纳米线阵列的有机物薄膜与任何衬底相粘接，实现二氧化硅纳米线阵列的转移。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。

主权项

一种二氧化硅纳米线阵列的剥离‑移植方法，其特征在于，包括步骤：A、硅片预处理：清洗单晶硅片；B、硅片上多孔银膜的制备：把0.085g硝酸银溶于去离子水中，再加入20ml质量浓度为40％的氢氟酸中，然后加入去离子水至100ml，搅拌均匀后，放入步骤A中清洗过的硅片，在室温25℃下静置沉积银膜2min；C、硅片上硅纳米线阵列的制备：取4.1ml质量浓度为30％的双氧水和20ml质量浓度为40％的氢氟酸，加入去离子水配制成100ml的蚀刻液，把步骤B中制得的表面带有多孔银膜的硅片放入蚀刻液中在室温25℃下静置蚀刻10min，得到表面带有硅纳米线阵列结构的硅片。D、金属银催化氨水氧化及蚀刻，制备与衬底连接力小的二氧化硅纳米线阵列结构：取质量浓度为25～28％的氨水按体积比1∶100加入到去离子水中制备刻蚀液，把步骤C中制备的表面带有纳米线阵列结构的硅片放入该蚀刻液中，然后在60℃水浴条件下静置蚀刻5‑10min，制得与硅片连接力非常小的二氧化硅纳米线阵列结构；E、二氧化硅纳米线阵列的剥离：在步骤D中的样品表面滴涂一层硅胶在室温25℃条件下静置24h或通过加热来加快硅胶凝固，待硅胶凝固后，将其揭下来，得到表面带有二氧化硅纳米线阵列的硅胶薄膜；F、二氧化硅纳米线阵列的转移：取步骤E中的表面带有带有二氧化硅纳米线阵列的硅胶，通过银胶把硅胶的纳米线阵列面粘到柔性的沙林膜上。