[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210543925.1 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165478A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 清水祐作;秋月伸也;小田高司;丰田英志;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在所述热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；以及工序D，在所述多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的所述保护膜而施加的压力，将所述多个半导体芯片埋入所述热固化型树脂层，其中，所述保护膜对水的接触角为90°以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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