[发明专利]图案形成膜的刻蚀条件的测评有效
申请号: | 201210543966.0 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103123442B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 五十岚慎一;吉川博树;稻月判臣;金子英雄 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/80;G03F1/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地,连同光掩模坯料,其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜,通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件:测量第一刻蚀完成时间(C1),其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间,测量第二刻蚀完成时间(C2),其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间,以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。 | ||
搜索关键词: | 图案形成 刻蚀条件 刻蚀 测评 刻蚀掩模 测量 光掩模坯料 衬底 施加 透明 | ||
【主权项】:
1.一种测评光掩模坯料的图案形成膜的刻蚀条件的方法,该光掩模坯料包含透明衬底、该衬底上用于形成光掩模图案的所述图案形成膜以及图案形成膜上用于在图案形成膜的刻蚀期间作为掩模的刻蚀掩模膜,包括步骤:测量第一刻蚀完成时间(C1),其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下通过氟基干法刻蚀刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间,此时由图案形成膜形成光掩模图案,测量第二刻蚀完成时间(C2),其是在所述刻蚀条件下通过氟基干法刻蚀刻蚀该图案形成膜时所花费的时间,以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2),由此测评用于图案形成膜的所述刻蚀条件,其中图案形成膜由包含硅的材料形成,并且刻蚀掩模膜由包含铬的无硅材料或包含钽的无硅材料形成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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