[发明专利]在二次谐波检测模式下使用磁阻传感器感测弱磁场的方法有效
| 申请号： | 201210544108.8 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103149542A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | B·B·潘特 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;李浩 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在二次谐波检测模式下使用磁阻传感器感测弱磁场的方法。提供一种测量磁场的方法。该方法包括将交变驱动电流施加至覆盖磁阻传感器的驱动带以使磁阻传感器的工作点移动到低噪声区。通过交变驱动电流在磁阻传感器内产生交变磁驱动场。当待测磁场被叠加在磁阻传感器内的交变磁驱动场上时，该方法进一步包括提取磁阻传感器的输出的二次谐波分量。待测磁场与所提取的二次谐波分量的带符号幅值成比例。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 谐波 检测 模式 使用 磁阻 传感器 感测弱 磁场 方法 | ||
【主权项】：
一种测量磁场(450)的方法，该方法包括：施加交变驱动电流(430)至覆盖磁阻传感器(10)的驱动带(70)以使磁阻传感器的工作点移动到低噪声区，其中通过交变驱动电流在磁阻传感器内产生交变磁驱动场(440)；当待测磁场叠加在磁阻传感器内的交变磁驱动场上时，提取磁阻传感器的输出的二次谐波分量，其中待测磁场与所提取的二次谐波分量的带符号幅值成比例。
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