[发明专利]一种半导体离子注入均匀性的改善方法无效
| 申请号： | 201210544205.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871813A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 窦伟;邹志超;李超波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供公开了一种半导体离子注入均匀性的改善方法，包含：对硅基片进行预非晶化；对所述硅基片进行离子注入，其中，所述硅基片的部分表面与离子注入的方向成锐角或钝角；修复所述硅基片在预非晶化时形成的晶格损伤。本发明提供半导体离子注入均匀性的改善方法，与直接用掺杂离子进行注入相比，通过预先用氦离子对硅基片进行离子注入，破坏硅基片表面晶格结构，以达到预非晶化的目的，然后再进行所需要的离子注入，最后进行退火处理。由于预非晶化的过程破坏了晶格结构，避免了硅基片表面的形貌对离子注入结深的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 离子 注入 均匀 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体离子注入均匀性的改善方法，其特征在于，包含：对硅基片进行预非晶化；对所述硅基片进行离子注入，其中，所述硅基片的部分表面与离子注入的方向成锐角或钝角；修复所述硅基片在预非晶化时形成的晶格损伤。
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