[发明专利]P型LDMOS器件的沟槽及制作方法

摘要

本发明公开了一种P型LDMOS器件的沟槽，在P型LDMOS器件中，需要将源极与衬底进行电性连接，传统采用的多晶硅深沟槽工艺复杂且容易形成漏电，本发明通过在源区形成表面沟道，连接源区及衬底。本发明还公开了所述P型LDMOS器件的沟槽的制作方法，利用湿法刻蚀打开源区，在源区制作沟槽，同时利用干法刻蚀的各向同性形成光滑的源区沟槽内斜面，再后续制作金属硅化物，改善源区与衬底的电性连接状况，工艺容限高，简单易于实施。

主权项

一种P型LDMOS器件的沟槽，用于连接P型LDMOS器件的源区及衬底；所述P型LDMOS位于衬底上的外延中，具有相互抵靠接触的轻掺杂漏区及N型沟道区，所述P型LDMOS的源区位于N型沟道区中，漏区位于轻掺杂漏区中，外延表面具有所述P型LDMOS器件的栅氧及多晶硅栅极，多晶硅栅极上覆盖钨硅；所述P型LDMOS器件的沟槽，其特征在于：所述沟槽位于源区中，整个沟槽呈由上端部和下端部形成的漏斗型，其下端部底部接触衬底，沟槽位于源区中的上端部宽度大于下端部，沟槽下端部向上宽度是逐渐增大形成斜坡，沟槽下端部内填充重掺杂的N型多晶硅，上端部内填充金属硅化物。