[发明专利]一种超浅结均匀性的改善方法在审
| 申请号： | 201210544419.4 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871848A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李超波;邹志超;窦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超浅结均匀性的改善方法，包含：将硅基片的表面进行预非晶化；从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入，得到P型硅基片或N型硅基片；修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。本发明提供的超浅结均匀性的改善方法，与直接用掺杂离子进行注入相比，预先用氦离子对硅基片的表面进行离子注入，破坏硅基片表面晶格结构以达到预非晶化，然后再进行所需要的离子注入，最后进行退火处理恢复被破坏的表面晶格，形成超浅结，故本发明可有效提高离子注入后，硅基片的注入离子剂量的均匀性，从而提高后续在硅基片上制备MOS器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 均匀 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种超浅结均匀性的改善方法，其特征在于，包含：将硅基片的表面进行预非晶化；从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入；修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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