[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置有效
| 申请号： | 201210545227.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594476A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 沈钟植;南宇镇;慎弘縡;张旼揆 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L51/56;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种有利于改善薄膜晶体管的输出和传输特性的薄膜晶体管基板、其制造方法以及使用其的有机发光显示装置，其中所述薄膜晶体管基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于基板上的下栅极电极、位于所述下栅极电极上的有源层、位于所述有源层上的源极和漏极电极、以及位于所述源极电极、漏极电极和有源层上的上栅极电极，所述上栅极电极覆盖由所述源极和漏极电极界定的沟道区域；和将所述下栅极电极与所述上栅极电极电连接的接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 使用 有机 发光 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于基板上的下栅极电极、位于所述下栅极电极上的有源层、位于所述有源层上的源极和漏极电极、以及位于所述源极电极、漏极电极和有源层上的上栅极电极，所述上栅极电极覆盖由所述源极和漏极电极界定的沟道区域；和将所述下栅极电极与所述上栅极电极电连接的接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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