[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210545435.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103545351B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 金钟一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾红霞,何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有用于使金属离子聚集的虚设有源区且能够防止由于金属离子污染所致的器件故障。该半导体器件包括由半导体基板中的隔离层限定且以离子注入法注入有杂质的有源区、以及以离子注入法注入有杂质的虚设有源区，其中，虚设有源区被注入的杂质的浓度比有源区中的杂质的浓度高，并且虚设有源区构造为聚集金属离子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其由半导体基板中的隔离层限定，其中，所述第一有源区注入有第一浓度的杂质离子，并且所述第二有源区具有与所述第一有源区的杂质离子不同类型的杂质离子；以及虚设有源区，其具有与所述第一有源区的杂质离子相同类型的杂质离子，注入有第二浓度的杂质离子，并且构造为聚集金属离子，所述第二浓度比所述第一浓度的杂质离子浓度高，并且设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间。
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