[发明专利]晶体管布局装置

摘要

一种晶体管布局装置，包含半导体基底、栅极结构及第一、二金属层，半导体基底包括漏极区与源极区，漏极区在相邻源极区间且源极区在相邻漏极区间而成阵列排列，栅极结构包括在漏极区与源极区间的栅极；第一金属层包括多数第一块状区及第一图案化板状区，第一块状区电连接漏极区，第一图案化板状区间隔围绕第一块状区并电连接源极区，第二金属层包括多数第二块状区及第二图案化板状区，第二块状区电连接第一图案化板状区，第二图案化板状区间隔围绕第二板状区并电连接第一块状区。本发明通过此第一、二块状区，有效降低第一、二金属层的寄生电阻。

主权项

一种晶体管布局装置，包含：一个半导体基底、一个置于该半导体基底的一顶面的栅极结构、一层位于该半导体基底上方的第一金属层，及一层位于该第一金属层上方的第二金属层；其特征在于：该半导体基底包括一个板本体，及形成于该板本体中的多数个漏极区及多数个源极区，所述漏极区分别设置于两相邻的源极区间，所述源极区分别设置于两相邻的漏极区间，而使所述漏极区与所述源极区相配合成阵列排列；该栅极结构包括多数条分别位于任两相邻的漏极区与源极区间且彼此电连接的栅极，所述漏极区、所述源极区，及所述栅极构成一晶体管阵列；该第一金属层包括多数个第一块状区及一个第一图案化板状区，所述第一块状区分别对应电连接所述漏极区，该第一图案化板状区间隔地围绕所述第一块状区，并电连接所述源极区；该第二金属层包括多数个第二块状区及一个第二图案化板状区，所述第二块状区分别电连接该第一图案化板状区，该第二图案化板状区间隔地环围所述第二块状区，并电连接所述第一块状区。