[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，p型层直接设于多量子阱层上，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层，第一多量子阱层由若干个InaGa1-aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，第一多量子阱层中的若干个量子垒层中至少一个为AlxInyGa1-x-yN层，其中，0＜x＜1，0≤y＜0.5；第二多量子阱层由若干个InbGa1-bN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，且a≤b。本发明通过上述方案，减小了第二多量子阱层的缺陷密度，提高了势垒高度，提高电子的缓冲和拦截能力，提高了器件的发光效率，且消除了由于电子阻挡层造成的晶格失配、能带弯曲的问题。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述p型层直接设于所述多量子阱层上，所述多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层由若干个InaGa1‑aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，所述第一多量子阱层中的所述若干个量子垒层中至少一个为AlxInyGa1‑x‑yN层，其中，0＜x＜1，0≤y＜0.5；所述第二多量子阱层由若干个InbGa1‑bN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，且a≤b。