[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210546103.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103021943A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 于海峰;封宾;林鸿涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中制造方法包括：步骤A、在基板的一侧依次形成第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的图形，其中所述绝缘层上设置有至少一个过孔；步骤B、在形成所述第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的基板上依次形成栅金属层和钝化层，其中所述栅金属层包括栅电极和栅线，所述栅金属层通过所述至少一个过孔与所述第一导电层连接，形成将静电疏散的通路。可以在Array工艺中提前多步工艺完成ESD回路的形成，使ESD组件充分发挥其疏散电荷的作用，有效的降低了ESD的发生率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤A、在基板的一侧依次形成第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的图形，其中所述绝缘层上设置有至少一个过孔；步骤B、在形成所述第一导电层、源漏电极、有源层和绝缘层的基板上依次形成栅金属层和钝化层，其中所述栅金属层包括栅电极和栅线，所述栅金属层通过所述至少一个过孔与所述第一导电层连接，形成将静电疏散的通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
