[发明专利]一种光刻胶去除剂在审
| 申请号： | 201210546307.2 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103869636A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。该低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)季铵氢氧化物(b)醇胺(c)糖或糖醇(d)表面活性剂以及(e)溶剂。该低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 去除 | ||
【主权项】：
一种光刻胶去除剂，其包含：季铵氢氧化物，醇胺，糖和/或糖醇，表面活性剂以及溶剂。
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