[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210546406.0 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103160282A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 组合 以及 利用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀组合物，包括：由以下通式1表示的甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水：[通式1]![]()
其中，R1选自氢、羟基、取代或未取代的(C1-C20)烷基、(C1-C20)烷氧基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C20)烷基、氨基(C1-C10)烷基氨基(C1-C10)烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C20)烷基羰基、(C1-C20)烷基羰氧基、以及氰基(C1-C10)烷基；其中，R2和R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的(C1-C20)烷基、(C1-C20)烷氧基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C20)烷基、氨基(C1-C10)烷基氨基(C1-C10)烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C20)烷基羰基、(C1-C20)烷基羰氧基、氰基(C1-C10)烷基、以及由以下通式3表示的基团：[通式3]![]()
其中，R4和R5各自独立地选自氢、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C10)烷基、以及被选自卤素、苯基和环氧环己烷中的一个或更多个取代基取代的(C1-C10)烷基；以及其中，n为1≤n≤4的整数。
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