[发明专利]NAND闪存控制器及其写入控制方法有效
| 申请号： | 201210546571.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103049389A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 黄秀荪;李琳;黎骅;毛天然 | 申请（专利权）人： | 锐迪科科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 中国香港花*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种NAND闪存控制器的写入控制方法，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一。第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息。第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据。第4步，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低。第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。本申请可以对NAND闪存的写入操作以页为单位进行均衡管理，延长NAND闪存的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 控制器 及其 写入 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一；第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息；第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据；第4步，在当前待写入数据是非重要数据的情况下，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低；第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。
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