[发明专利]一种掩膜板及其制作方法有效
申请号: | 201210546650.7 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103019028A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 黎敏;吴洪江;姜晶晶;张思凯;万冀豫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种掩膜板及其制作方法,该掩膜板,应用于大尺寸接近式曝光机光学系统,该掩膜板包括多个区域,每个区域为以掩膜板的中心点为圆心且按照设定规则形成的区域,并且离掩膜板的中心点越近的区域,其对应的透过率越高;离掩膜板的中心点越远的区域,其对应的透过率越低。在本发明实施例中,在接近式曝光机光学系统曝光时,由于掩膜板上离掩膜板的中心点越近的区域,其对应的透过率越高,这样就使得这些区域的曝光量较高,可以相对弥补此区域的曝光间距较小对图形尺寸的影响,从而提高曝光出的图形尺寸的均一度。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,应用于大尺寸接近式曝光机光学系统,其特征在于,所述掩膜板包括多个区域,每个区域为以所述掩膜板的中心点为圆心且按照设定规则形成的区域,并且离所述掩膜板的中心点越近的区域,其对应的透过率越高;离所述掩膜板的中心点越远的区域,其对应的透过率越低。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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