[发明专利]具有终端结构的金氧半二极管元件及其制法

摘要

本发明提供一种具有终端结构的金氧半二极管元件及其制法，该元件包含：一基板，具有多个平台区；而在N型外延层表面，为一被蚀刻出一浅沟槽区域的P型半导体区，其围绕在该平台区周围，增加了金属接触面积，降低正向导通压降值（Vf）；一栅极氧化层，位于该平台区的表面上；一多晶硅层，位在该栅极氧化层上；一屏蔽氧化层，位在部分的该多晶硅层上的中间部分。该终端结构包含一沟槽；至少一氧化层，位于该沟槽内；侧壁多晶硅层，位在该沟槽侧壁的该氧化层上。屏蔽氧化层的厚度较栅极氧化层的厚度厚，因此可以降低寄生电容；沟槽中的氧化层及侧壁多晶硅层可有利于分散表面电场，因此可以提高该金氧半二极管元件的反向耐压。

主权项

一种具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，包含：一基板，具有至少一第一导电型外延层，该第一导电型外延层具有多个平台区；多个浅沟槽区域，分别环绕该些平台区；多个第二导电型半导体区，位在该些平台区外侧浅沟槽区域内；多个栅极氧化层，分别位于该些平台区之上；多个多晶硅层，分别位在该些栅极氧化层上；多个屏蔽氧化层，分别位在该些多晶硅层上，且覆盖该些多晶硅层的部分上表面，其中该屏蔽场氧化层的厚度较该栅极氧化层厚；一终端结构，包含：一沟槽，形成于该第一导电型外延层上；至少一氧化层，位于该沟槽内；及侧壁多晶硅层，位在该沟槽侧壁的该氧化层上；及一金属复合层，覆盖该些第二导电型半导体区、该多晶硅层、该屏蔽氧化层、及至少该沟槽中的该氧化层及该侧壁多晶硅层。