[发明专利]已做发射区推进的三极管hfe的二次增大方法

摘要

本发明涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益（hfe）的二次增大方法，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的hfe；若hfe低于合格值，则对晶圆进行hfe的二次增大，具体包括：将晶圆置于扩散炉内，炉内环境为600～800摄氏度且通入保护气体；将扩散炉的炉内温度升温至1000～1100摄氏度；将扩散炉保温一段时间，保温时间由需要达到的hfe决定，增益越大保温时间越长；将炉内温度降温至600～800摄氏度，然后取出晶圆。本发明对hfe达不到所需倍数的晶圆进行hfe的二次增大，增大后的hfe能够符合要求，从而降低了不良损耗，节省了成本。

主权项

一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益；若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大，具体包括：将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体；将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度；将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长；将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆；所述第一温度为600～800摄氏度，所述第二温度为1000～1100摄氏度，所述第三温度为600～800摄氏度。