[发明专利]芯片级测试装置无效
| 申请号： | 201210548259.0 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103064004A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王云锋 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片级测试装置，包括测试针、测试模块和击穿模块，击穿模块提供击穿电流击穿测试针与芯片连接处的接触电阻，使测试模块与芯片之间接触良好，测试模块在击穿模块击穿测试针与芯片的接触电阻后对芯片进行芯片级测试。该芯片级测试装置，通过设置击穿模块击穿测试针与芯片的测试位置接触时的接触电阻，避免了因测试针氧化造成与芯片接触不良引起的误测；并且该芯片级测试装置在不改变硬件条件的情况下实现了降低接触电阻，避免了探卡的使用降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片级测试装置，用于测试芯片的电气特性参数，包括测试针和测试模块，所述测试模块通过所述测试针连接所述芯片的测试位置，其特征在于，还包括击穿模块，所述击穿模块的击穿电流输出端连接所述测试针；所述击穿模块用于提供击穿电流，击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻；所述测试模块用于在所述击穿模块击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻后对所述芯片进行芯片级测试。
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