[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210548299.5 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165668A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·穆勒;安可·赫琳哈 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有位于GaN层上的AlGaN层。该半导体器件还包括第一接触和第二接触。所述AlGaN层的平均厚度在所述第一接触和所述第二接触之间变化，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括位于GaN层上的AlGaN层的半导体衬底；第一接触，和第二接触，其中，所述AlGaN层的平均厚度在所述第一接触和所述第二接触之间变化，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。
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