[发明专利]一种具有大失调电压校正范围的动态比较器

摘要

本发明公开了一种具有大失调电压校正范围的动态比较器，包括预放大器、锁存器和基于逐次逼近逻辑的失调校正电路，其特征在于，本发明的预放大电路在其负载MOS管漏极和输出节点之间插入了共源共栅（cascode）MOS管，在cascode MOS管的漏极（即预放大器的输出节点）和源极都连接用于校正失调电压的电容器阵列。由于cascode管对其源极阻抗的变换作用，其漏极所接电容器阵列对比较器失调电压具有大校正范围，其源极所接电容器阵列能减小比较器校正后的剩余失调电压，且漏极和源极的电容器阵列中最大电容和最小电容的比值始终，容易实现，电容器阵列具有较高的匹配度。

主权项

一种具有大失调电压校正范围的动态比较器，包括预放大器、锁存器和基于逐次逼近逻辑的失调校正电路，其中，所述预放大器包括作为偏置电流源的第一NMOS管（MN0）、作为差分输入对管的第二NMOS管（MN1）和第三NMOS管（MN2）、作为负载管的第一PMOS管（MP5）和第二PMOS管（MP6）、以及并联在所述预放大器的两个输出节点的第一可调电容阵列（Carray1）和第二电容整列（Carray2）；所述第一NMOS管（MN0）的栅极接第一时钟信号（CLK），所述第二NMOS管（MN1）和第三NMOS管（MN2）的栅极分别接动态比较器的待比较信号（Vinp、Vinn）、源极和第一NMOS管（MN0）的漏极相连；所述第一可调电容阵列（Carray1）的一端与所述第二NMOS管（MN1）的漏极连接、另一端接地，所述第二可调电容阵列（Carray2）的一端与所述第三NMOS管（MN2）的漏极连接、另一端接地，其特征在于：所述预放大器还包括第三PMOS管（MP3）、第四PMOS管（MP4）、第三可调电容阵列（Carray3）和第四可调电容阵列（Carray4）；所述第三PMOS管（MP3）是所述第一PMOS管（MP5）的共源共栅PMOS管，所述第四PMOS管（MP4）是所述第二PMOS管（MP6）的共源共栅PMOS管，所述第三PMOS管（MP3）和第四PMOS管（MP4）的栅极接偏置电压（Vbias），所述第三PMOS管（MP3）的源极与所述第一PMOS管（MP5）的漏极连接、漏极与所述第二NMOS管（MN1）的漏极连接至预放大器的一个输出节点，所述第四PMOS管（MP4）的源极与所述第二PMOS管（MP6）的漏极连接、漏极与所述第三NMOS管（MN2）的漏极连接至预放大器的另一个输出节点；所述第三可调电容阵列（Carray3）的一端与所述第三PMOS管（MP3）的源极连接、另一端接地；所述第四可调电容阵列（Carray4）的一端与所述第四PMOS管（MP4）的源极连接、另一端接地，所述第一可调电容阵列（Carray1）和第三可调电容阵列（Carray3）受所述失调校正电路的第一输出信号（DP）控制，所述第二可调电容阵列（Carray2）和第四可调电容阵列（Carray4）受所述失调校正电路的第二输出信号（DN）控制。