[发明专利]对称等离子体处理室有效
| 申请号： | 201210548832.8 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094044B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 等离子体处理室 均匀性 衬底 等离子体 等离子体处理 处理区域 气体传导 气体入口 上下电极 传统的 改进 室内 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：盖组件和室体，其围成处理区域；以及衬底支撑组件，其具有中心轴线且设置在所述室体中，其中，所述衬底支撑组件包括：设置在所述室体的中心区域中的支撑基座，所述中心区域与所述处理区域流体地密封；由所述支撑基座支撑的下电极；以及第一致动装置，其设置在所述中心区域内，并构造成将所述下电极竖直移动一距离；其中所述中心区域与设置在所述室体内的抽真空区域流体地密封，所述抽真空区域沿着所述衬底支撑组件的所述中心轴线位于所述中心区域的下方。
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