[发明专利]一种电感耦合等离子装置有效
申请号: | 201210548861.4 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN103874314A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 王兆祥;杨平;刘志强;苏兴才 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/67 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种等离子体处理腔室,其中,包括:腔体,其包括顶板,所述顶板构成一绝缘材料窗;基片支撑装置,设置于所述腔体内的绝缘材料窗下方;射频功率发射装置,设置于所述绝缘材料窗上方,以发射射频能量到所述腔体内;气体注入器,用于向所述腔体内供应处理气体,壳体,其设置于所述腔体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方,以限制处理气体的流动,所述壳体上下皆开口,且其上开口的直径大于所述下开口的直径。本发明能够优化反应腔内的气体分布以改进加工工艺的均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电感 耦合 等离子 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理腔室,其中,包括:腔体,其包括顶板,所述顶板构成一绝缘材料窗;基片支撑装置,设置于所述腔体内的绝缘材料窗下方;射频功率发射装置,设置于所述绝缘材料窗上方,以发射射频能量到所述腔体内;气体注入器,用于向所述腔体内供应处理气体,壳体,其设置于所述腔体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方,以限制处理气体的流动,所述壳体上下皆开口,且其上开口的直径大于所述下开口的直径。
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