[发明专利]一种集成器件及其制造方法、分立器件、CDMOS有效
| 申请号： | 201210548994.1 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103872054A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/784 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张恺宁 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种集成器件及其制造方法、分立器件、CDMOS，用以解决由于采用在外延层上制作漂移区，而制作外延层的工艺成本很高，所以导致LDMOS的应用范围受到了限制的问题。本发明实施例的nLDMOS和pLDMOS集成器件包括衬底还包括nLDMOS和pLDMOS；其中，所述nLDMOS和pLDMOS位于所述衬底中。由于nLDMOS和pLDMOS位于衬底中，不需要外延层，从而降低了制造成本，扩大了其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 器件 及其 制造 方法 分立 cdmos | ||
【主权项】：
一种集成器件，包括衬底，其特征在于，还包括N沟道横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管nLDMOS和P沟道横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管pLDMOS；其中，所述nLDMOS和pLDMOS位于所述衬底中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210548994.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
