[发明专利]一种再布线QFN封装器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种再布线QFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的再布线QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

主权项

一种再布线QFN封装器件的制造方法，其特征在于，再布线QFN封装器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层；该方法包括以下步骤：（a）采用曝光显影方法，在金属基材上表面形成具有窗口的掩膜材料层；（b）以具有窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对金属基材上表面进行蚀刻，形成芯片载体、引脚和凹槽；（c）移除配置于金属基材上表面的掩膜材料层；（d）采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料；（e）采用曝光显影方法，在绝缘填充材料和引脚的表面位置制作具有窗口的掩膜材料层；（f）依次采用化学镀和电镀方法在掩膜材料层的窗口中制作再布线层；（g）移除配置于绝缘填充材料的表面的掩膜材料层；（h）采用电镀或化学镀方法在再布线层的表面部分配置第一金属材料层；（i）通过粘贴材料将IC芯片配置于芯片载体上；（j）IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；（k）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、再布线层、第一金属材料层和芯片载体，塑封后进行烘烤后固化；（l）采用机械磨削方法或者蚀刻方法对金属基材进行减薄，形成独立的芯片载体和引脚；（m）采用化学镀方法在芯片载体和引脚的下表面制作第二金属材料层；（n）分离形成独立的单个封装件。